①三星半导体业务执行副总裁韩进万表示,明年市场对LPU的需求有望实现进一步增长;②三星电子已确认正在开发HBM5,其底层芯片或采用2纳米工艺;③自本周以来,三星电子已累计涨超11%,该公司市值已突破1370万亿韩元。
在本届GTC大会上备受瞩目的Groq 3 LPU,已确认委托三星电子进行代工,预计采用4纳米工艺生产。
三星半导体业务执行副总裁韩进万表示,Groq 3 LPU量产将于今年第三季度末或第四季度初开始,明年市场对该款芯片的需求有望实现进一步增长“早在2023年英伟达收购Groq之前,三星便已和Groq开始合作。”他补充道:“三星工程师直接参与其中,还协助了LPU的设计工作。”
日前分析师郭明錤发文称,在英伟达投资Groq之后,LPU的出货量预测已大幅上调。预计2026至2027年的总出货量将达到400万至500万颗。
此外,在存储领域,三星下一代HBM也取得了进展。
据Businesskorea今日报道,三星电子已确认正在开发第八代高带宽内存(HBM5),其底层芯片或采用2纳米工艺。对于第九代HBM5E,该公司计划提前在核心芯片上应用基于1D(第七代10纳米级)工艺的DRAM。
三星电子存储器开发执行副总裁黄相俊表示:“由于器件性能将不断提升,我们将继续把最先进的工艺应用于HBM5和HBM5E。”
三星电子芯片业务负责人表示,存储芯片市场正经历前所未有的“超级周期”,公司将专注于销售利润率更高的服务器和AI应用芯片;预计HBM市场份额将持续增长,2026年的资本支出预计将大幅增长;芯片需求呈爆炸式增长,寻求与主要客户签订多年期合同,芯片合同期限将为三至五年。此外,公司将于2027年末生产特斯拉芯片,电力供应可能成为AI增长的瓶颈。
受上述消息影响,今日三星电子跳空高开,涨幅一度扩大至6%。自本周以来,该公司已累计涨超11%。截至目前,其市值突破1370万亿韩元(约合9212亿美元)。港股上市的南方两倍做多三星电子(07747.HK)涨超13%,本周累涨24%。
就在上个月,市场研究机构TrendForce集邦咨询曾指出,随着AI基础建设扩张,对应的GPU需求也不断成长,预期英伟达Rubin平台量产后,将带动HBM4需求。目前三大存储器原厂的HBM4验证程序已进展至尾声,预计将在2026年第二季陆续完成。其中,三星凭借最佳的产品稳定性,预期将率先通过验证。
此前,三星电子抢先将领先于竞争对手的1c DRAM技术应用于HBM4核心芯片,并采用三星晶圆代工的4纳米工艺制造了基础芯片。基于此,该公司稳定实现了业界领先的性能,并于上个月率先向英伟达供应了HBM4。
“三星的HBM4基础芯片也是采用4纳米工艺制造的,所以我认为未来对4纳米工艺的需求将大幅增长。”韩进万表示。
(文章来源:财联社)
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